在我们之前的工作[30]中，通过采用多目标驱动设计策略，在铜中构建了单一磁性L21有序Ni-Mn-Sn赫斯勒相，在10 kHz–3 GHz范围内实现了室温机械强度(> 1 GPa)和EMI屏蔽(> 100 dB)的显著改善。本研究进一步引入了不完全相变策略，将微结构设计从单一磁性相转变为多种磁性有序相共存。通过结合固溶-时效热处理，构建了高密度纳米级L12/D022共格转变相和半共格L21有序赫斯勒终端相。多相结构源于相结构转变和界面取向演化的可控行为。尺寸相关的相变[31]以及磁性溶质的受限扩散延缓了向平衡状态的转变。受益于由不完全相变产生的各种机制，Cu–Ni–Mn–Sn系统的研究频率和温度范围被进一步扩展。这种材料的EMI-SE不仅在10 kHz–18 GHz范围内达到104±5 dB，而且在整个工作温度范围内表现出仅为0.00012/K的低温度敏感系数。此外，分级共格微结构使材料在机械强度方面具有优异的温度稳定性。工作温度下抗拉强度和屈服强度的温度敏感系数分别仅为0.000091/K和0.000083/K。这项工作为开发耐恶劣环境的低温敏感超宽带电磁屏蔽结构元件提供了一条有价值的途径。

在我们之前的工作[30]中，通过采用多目标驱动设计策略，在铜中构建了单一磁性L21有序Ni-Mn-Sn赫斯勒相，在10 kHz–3 GHz范围内实现了室温机械强度(> 1 GPa)和EMI屏蔽(> 100 dB)的显著改善。本研究进一步引入了不完全相变策略，将微结构设计从单一磁性相转变为多种磁性有序相共存。通过结合固溶-时效热处理，构建了高密度纳米级L12/D022共格转变相和半共格L21有序赫斯勒终端相。多相结构源于相结构转变和界面取向演化的可控行为。尺寸相关的相变[31]以及磁性溶质的受限扩散延缓了向平衡状态的转变。受益于由不完全相变产生的各种机制，Cu–Ni–Mn–Sn系统的研究频率和温度范围被进一步扩展。这种材料的EMI-SE不仅在10 kHz–18 GHz范围内达到104±5 dB，而且在整个工作温度范围内表现出仅为0.00012/K的低温度敏感系数。此外，分级共格微结构使材料在机械强度方面具有优异的温度稳定性。工作温度下抗拉强度和屈服强度的温度敏感系数分别仅为0.000091/K和0.000083/K。这项工作为开发耐恶劣环境的低温敏感超宽带电磁屏蔽结构元件提供了一条有价值的途径。